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型号 SI7123DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
SI7123DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7123DN-T1-GE3
产品目录绘图 DN-T1-E3 Series 1212-8
标准包装 1
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 10.6 毫欧 @ 15A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3729pF @ 10V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7123DN-T1-GE3CT
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